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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [24]
作者
伊晓燕 [1]
文献类型
专利 [18]
期刊论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2021 [3]
2013 [3]
语种
英语 [3]
中文 [2]
出处
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IEEE PHOTO... [1]
IEEE SENSO... [1]
Journal of... [1]
OPTICAL EN... [1]
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sha, Yin
;
Lin, Chen
;
Xie, Hongyun
;
Yi, Xiaoyan
;
Zhan, Teng
;
Liu, Xiancheng
;
Xiang, Yang
;
Zhang, Wanrong
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提交时间:2022/12/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, Jianwen
;
Zhan, Teng
;
Sokolovskij, Robert
;
Liu, Zewen
;
Sarro, Pasqualina M.
;
Zhang, Guoqi
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提交时间:2022/05/19
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Lin, Chen
;
Zhan, Teng
;
Wang, Junxi
;
Li, Jinmin
;
Liu, Zhiqiang
;
Yi, Xiaoyan
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提交时间:2022/07/25
高效 GaN 基阵列式高压 LED 器件的研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2013
作者:
詹腾
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浏览/下载:1434/75
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提交时间:2013/06/24
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhan, Teng
;
Zhang, Yang
;
Li, Jing
;
Ma, Jun
;
Liu, Zhiqiang
;
Yi, Xiaoyan
;
Wang, Guohong
;
Li, Jinmin
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浏览/下载:612/120
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提交时间:2014/04/28
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhan, Teng
;
Zhang, Yang
;
Ma, Jun
;
Tian, Ting
;
Li, Jing
;
Liu, Zhiqiang
;
Yi, Xiaoyan
;
Guo, Jinxia
;
Wang, Guohong
;
Li, Jinmin
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浏览/下载:1031/183
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提交时间:2013/08/27
氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
詹腾
;
汪炼成
;
郭恩卿
;
刘志强
;
伊晓燕
;
王国宏
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浏览/下载:1523/211
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提交时间:2012/09/09
提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-06-19
发明人:
李璟
;
王国宏
;
詹腾
;
孔庆峰
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浏览/下载:882/57
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提交时间:2014/12/25
低损伤GaN基LED芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-05-22
发明人:
李璟
;
王国宏
;
孔庆峰
;
詹腾
Adobe PDF(421Kb)
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浏览/下载:696/46
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提交时间:2014/12/25
任意切割式高压LED器件的制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-07
发明人:
詹腾
;
王国宏
;
郭金霞
;
李璟
;
伊晓燕
;
刘志强
;
王军喜
;
李晋闽
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浏览/下载:778/76
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提交时间:2014/11/17