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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Ying J; Zhang XW ; Yin ZG; Tan HR; Zhang SG; Fan YM; Ying, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. [email protected]
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| 降低立方氮化硼薄膜应力的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-17, 2010-08-12
发明人: 范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫
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| 一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人: 张兴旺; 蔡培锋; 游经碧; 范亚明; 高 云; 陈诺夫
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| 一种立方氮化硼薄膜n型掺杂的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 张兴旺; 范亚明; 陈诺夫
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| 一种增强氧化锌薄膜蓝光发射的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-05-27, 公开日期: 3996
发明人: 张兴旺; 游经碧; 范亚明; 屈 盛; 陈诺夫
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fan YM; Zhang XW; You JB; Tan HR; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Fan YM; Yin ZG; Cai F; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci A35 Qinghua Donglu Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Fan YM; Zhang XW; You JB; Ying J; Tan HR; Chen NF; Zhang XW Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: [email protected]
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| 宽禁带立方氮化硼薄膜的制备与掺杂研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 范亚明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: You JB; Zhang XW; Fan YM; Yin ZG; Cai PF; Chen NF; Zhang, XW, CAS, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]
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