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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体材料科... [11]
作者
杨晓光 [4]
王科范 [2]
杨涛 [2]
文献类型
专利 [6]
期刊论文 [4]
学位论文 [1]
发表日期
2013 [1]
2012 [2]
2011 [2]
语种
英语 [4]
中文 [2]
出处
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Journal of... [1]
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang, Xiaoguang
;
Wang, Kefan
;
Gu, Yongxian
;
Ni, Haiqiao
;
Wang, Xiaodong
;
Yang, Tao
;
Wang, Zhanguo
Adobe PDF(379Kb)
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浏览/下载:1096/280
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提交时间:2013/08/27
量子点中间带和黑硅太阳电池研究
学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
王科范
Adobe PDF(2444Kb)
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浏览/下载:1768/62
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提交时间:2012/06/25
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu, Wenqing
;
Qu, Shengchun
;
Wang, Kefan
;
Bi, Yu
;
Liu, Kon
;
Wang, Zhanguo
Adobe PDF(241Kb)
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浏览/下载:603/181
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提交时间:2013/05/07
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang XG
;
Yang T
;
Wang KF
;
Ji HM
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Wang ZG
;
Yang, XG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
[email protected]
Adobe PDF(1135Kb)
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浏览/下载:1323/386
  |  
提交时间:2011/07/05
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang XG
;
Yang T
;
Wang KF
;
Gu YX
;
Ji HM
;
Xu PF
;
Ni HQ
;
Niu ZC
;
Wang XD
;
Chen YL
;
Wang ZG
;
Yang, T, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China.
[email protected]
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浏览/下载:1153/352
  |  
提交时间:2011/07/05
硅掺杂的砷化铟/砷化镓量子点太阳电池的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130206A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
王科范
;
杨晓光
;
杨涛
;
王占国
Adobe PDF(257Kb)
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浏览/下载:1565/248
  |  
提交时间:2012/09/09
磷化镓铝应力补偿的砷化铟量子点太阳电池制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010217374.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
王科范
;
杨晓光
;
杨涛
;
王占国
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浏览/下载:1604/267
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提交时间:2011/08/31
制备超饱和硫系元素掺杂硅的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-02-20, 2013-02-20
发明人:
王科范
;
刘孔
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:867/102
  |  
提交时间:2014/10/24
一种超饱和掺杂半导体薄膜的制备方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-28
发明人:
王科范
;
张华荣
;
彭成晓
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:859/93
  |  
提交时间:2014/11/17
硫族元素超饱和掺杂硅红外探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-04-30
发明人:
王科范
;
彭成晓
;
刘孔
;
谷城
;
曲胜春
;
王占国
Adobe PDF(564Kb)
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浏览/下载:961/81
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提交时间:2014/12/25