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变温的高阻半导体材料光电测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2001-08-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张砚华;  卢励吾;  樊志军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  樊志军;  刘祥林;  万寿科;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  夏永伟;  滕学公;  李国花;  樊志军;  王守武
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半导体光发射与探测耦合组件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏永伟;  滕学公;  李国花;  樊志军
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一种硅的光探测器件 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 1994-04-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  夏永伟;  李国花;  滕学公;  樊志军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  夏永伟;  李国华;  滕学公;  樊志军
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