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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yong Yan; Wenqi Xiong; Shasha Li; Kai Zhao; Xiaoting Wang; Jian Su; Xiaohui Song; Xueping Li; Shuai Zhang; Huai Yang; Xinfeng Liu; Lang Jiang; Tianyou Zhai; Congxin Xia; Jingbo Li; Zhongming Wei
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zhiyi Gao ; Zheng Lou ; Shuai Chen ; La Li ; Kai Jiang ; Zuoling Fu ; Wei Han ; Guozhen Shen
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tingting Huang ; Zheng Lou ; Shuai Chen ; Rui Li ; Kai Jiang ; Di Chen ; Guozhen Shen
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Tang AW (Tang Aiwei); Qu SC (Qu Shengchun); Li K (Li Kai); Hou YB (Hou Yanbing); Teng F (Teng Feng); Cao J (Cao Jie); Wang YS (Wang Yongsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Qu, SC, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: [email protected]; [email protected]
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| 砷化镓衬底上制备纳米尺寸坑的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲 ; 王占国
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| 利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李凯; 叶小玲; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李凯; 叶小玲; 金鹏; 王占国
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| GaAs基In(Ga)As量子环的材料生长和性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 李凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 裴为华; 陈弘达; 唐君; 鲁琳; 刘金彬; 吴惠娟; 陈晶华; 胡小凤; 黎晓新; 李凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 金峰; 鲁华祥; 李凯; 陈涌海; 王占国
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