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| 一种包含量子点的光探测场效应晶体管及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 杨富华; 徐萍; 刘伟
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| 半导体芯片结深的电解水阳极氧化显结方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 曾宇昕; 王水凤; 杨富华; 曾庆城
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| 单光子探测装置的结构 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-01, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘伟; 杨富华; 曾宇昕; 郑厚植
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| 内嵌InAs 量子点的调制掺杂场效应晶体管的光电特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 曾宇昕
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 朱莉; 郑厚植; 谭平恒 ; 周霞; 姬扬; 杨富华; 李桂荣; 曾宇昕
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曾宇昕; 程国安; 王水凤; 肖志松
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