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基于RTD与EHEMT的超高速全并行模数转换器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-10, 2010-08-12
发明人:  戴 扬;  杜 睿;  杨富华
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InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  戴扬
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基于共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管的高速集成电路工艺与设计 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:  戴扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du Rui;  Dai Yang;  Chen Yanling;  Yang Fuhua
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Du Rui;  Dai Yang;  Yang Fuhua
Adobe PDF(505Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：782/300  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  马龙;  张杨;  戴扬;  杨富华;  曾一平;  王良臣
Adobe PDF(513Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1078/337  |  提交时间：2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dai Yang;  Huang Yinglong;  Liu Wei;  Ma Long;  Yang Fuhua;  Wang Liangchen;  Zeng Yiping;  Zheng Houzhi
Adobe PDF(357Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：862/269  |  提交时间：2010/11/23