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中国科学院半导体研究所机构知识库
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作者:
杨冠卿
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张世著
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徐波
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陈涌海
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王占国
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提交时间:2017/05/23
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作者:
贾亚楠,徐波,王占国
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提交时间:2013/05/29
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期刊论文
作者:
杨新荣,徐波,赵国晴,申晓志,史淑惠,李洁,王占国
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提交时间:2013/05/29
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期刊论文
作者:
杨新荣,徐波,赵国晴,周晓静,王占国
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提交时间:2013/05/29
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期刊论文
作者:
周文飞,叶小玲,徐波,张世著,王占国
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提交时间:2013/05/29
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期刊论文
作者:
Zhou HY
;
Qu SC
;
Jin P
;
Xu B
;
Ye XL
;
Liu JP
;
Wang ZG
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2011/07/05
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期刊论文
作者:
Yang XR
;
Xu B
;
Wang HF
;
Zhao GQ
;
Shi SH
;
Shen XZ
;
Li JF
;
Wang ZG
;
Yang, XR, Handan Coll, Dept Phys & Elect Engn, Handan 056005, Peoples R China.
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提交时间:2011/07/05
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期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Chen YH
;
Zhang HY
;
Zhou GY
;
Li TF
;
Liu JQ
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2011/07/05
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期刊论文
作者:
Zhou XL
;
Chen YH
;
Li TF
;
Zhou GY
;
Zhang HY
;
Ye XL
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2011/07/05
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期刊论文
作者:
彭银生
;
叶小玲
;
徐波
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牛洁斌
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贾锐
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王占国
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梁松
;
杨晓红
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提交时间:2011/08/16