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GaN HEMT材料的MOCVD生长及新结构研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:  崔磊
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基于GaN基异质结构的二极管结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-07-02
发明人:  康贺;  王晓亮;  肖红领;  王翠梅;  冯春;  姜丽娟;  殷海波;  崔磊
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密封传动装置 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-05-07
发明人:  王晓亮;  崔磊;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  陈竑
Adobe PDF(720Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：931/108  |  提交时间：2014/11/24