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InAs/GaAs量子点材料生长及双区结构激光器研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  姜立稳
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光伏型InAs量子点红外探测器结构 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910242347.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  唐光华;  徐波;  叶小玲;  金鹏;  刘峰奇;  陈涌海;  王占国;  姜立稳;  孔金霞;  孔宁
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