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半导体激光器热沉管道 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-04-16, 公开日期: 2009-06-04
发明人:  王大拯;  王翠鸾;  仲莉;  韩淋;  崇峰;  史慧玲;  王冠;  胡理科;  刘素平;  马骁宇
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大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  史慧玲;  郑凯
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi Huiling;  Ma Xiaoyu;  Hu Like;  Chong Feng
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GaAs衬底上ZnO薄膜的MOCVD生长及性能研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007
作者:  史慧玲
Adobe PDF(2245Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：988/26  |  提交时间：2009/04/13