|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式： |
| 具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 杨霏; 李成明 ; 范海波; 陈涌海; 刘志凯; 王占国
 Adobe PDF(1107Kb) |  收藏 | 浏览/下载：1505/193 | 提交时间：2009/06/11 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李庚伟; 吴正龙; 邵素珍; 刘志凯
Adobe PDF(470Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1008/360 | 提交时间：2010/11/23 |
| 一种制备金属铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1622Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1239/117 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种制备金属锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-07-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1501Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1389/153 | 提交时间：2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化锆薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1262Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1297/148 | 提交时间：2009/06/11 |
| 利用离子束外延生长设备制备氮化铪薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 柴春林; 刘志凯; 陈涌海; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(1337Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1323/128 | 提交时间：2009/06/11 |
| 单相钆硅化合物以及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 杨少延; 刘志凯
Adobe PDF(391Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1176/151 | 提交时间：2009/06/11 |
| 低能氧离子束辅助脉冲激光沉积氧化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 陈诺夫; 王占国
Adobe PDF(665Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1266/191 | 提交时间：2009/06/11 |
| 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 蒋渭生
Adobe PDF(728Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1299/149 | 提交时间：2009/06/11 |
| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林
Adobe PDF(322Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1493/189 | 提交时间：2009/06/11 |
