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| 在硅衬底上磁控溅射制备铁磁性锰硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗 ; 杨霏; 柴春林
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| 一种制备三元高K栅介质材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 李艳丽; 陈诺夫; 刘立峰; 尹志刚; 杨菲; 柴春林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song L (Song Li); Ci LJ (Ci Lijie); Jin CH (Jin Chuanhong); Tan PH (Tan Pingheng); Sun LF (Sun Lianfeng); Ma WJ (Ma Wenjun); Liu LF (Liu Lifeng); Liu DF (Liu Dongfang); Zhang ZX (Zhang Zengxing); Xiang YJ (Xiang Yanjuan); Luo SD (Luo Shudong); Zhao XW (Zhao Xiaowei); Shen J (Shen Jun); Zhou JJ (Zhou Jianjun); Zhou WY (Zhou Weiya); Xie SS (Xie Sishen); Xie, SS, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: [email protected]
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| Si 和Ge 基稀磁半导体的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2005
作者: 刘力锋
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘力锋; 陈诺夫; 尹志岗; 杨霏; 周剑平; 张富强
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘力锋; 陈诺夫; 张富强; 陈晨龙; 李艳丽; 杨少延; 刘志凯
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