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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, Jingmin;   He, Zhi;   Guo, Zhiyu;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Liu, Min;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo, Zhiyu;   Wu, Jingmin;   Tian, Run;   Wang, Fengxuan;   Xu, Pengfei;   Yang, Xiang;   Fan, Zhongchao;   Yang, Fuhua;   He, Zhi
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng Liu, Zhang Feng, Liu Sheng-Bei, Dong Lin, Liu Xing-Fang, Fan Zhong-Chao, Liu Bin, Yan Guo-Guo, Wang Lei, Zhao Wan-Shun, Sun Guo-Sheng, He Zhi, Yang Fu-Hua
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K+-Na+离子交换玻璃波导及LiNbO3热光器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1992
作者:  何志义
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沟道型碳化硅肖特基二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-10-10
发明人:  何志;  张峰;  樊中朝;  赵咏梅;  孙国胜;  季安;  杨富华
Adobe PDF(428Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：938/98  |  提交时间：2014/10/29
一种H2微刻蚀进行碳化硅离子激活的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
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具有低特征导通电阻的SiC VDMOSFET结构及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-08-30
发明人:  王进泽;  杨香;  颜伟;  刘胜北;  赵继聪;  何志;  王晓东;  杨富华
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一种碳化硅欧姆接触电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-29
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  杨香;  刘兴昉;  张峰;  王雷;  田丽欣;  刘敏;  申占伟;  赵万顺;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(1167Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：904/0  |  提交时间：2016/09/29
一种去除碳化硅等离子体刻蚀形成的刻蚀损伤层的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  刘胜北;  何志;  刘斌;  刘兴昉;  杨香;  樊中朝;  王晓峰;  王晓东;  赵永梅;  杨富华;  孙国胜;  曾一平
Adobe PDF(568Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：684/3  |  提交时间：2016/09/28
半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-02
发明人:  张硕;  段瑞飞;  何志;  魏同波;  张勇辉;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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