中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共25条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏全香,吴兵朋,任正伟,贺振宏,牛智川
Adobe PDF(1366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：781/138  |  提交时间：2013/06/03
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei, Quanxiang;  Wu, Bingpeng;  Ren, Zhengwei;  He, Zhenhong;  Niu, Zhichuan
Adobe PDF(1366Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：672/163  |  提交时间：2013/05/07
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Yingqiang;  Tang, Bao;  Wang, Guowei;  Ren, Zhengwei;  Niu, Zhichuan;  Xu, Y.([email protected])
Adobe PDF(691Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1272/392  |  提交时间：2012/06/14
无权访问的条目 期刊论文
作者:  徐应强;  汤宝;  王国伟;  任正伟;  牛智川
Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1500/314  |  提交时间：2012/07/17
GaAs基InAs/GaSb超晶格近红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人:  汤宝;  周志强;  郝瑞亭;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1755/287  |  提交时间：2010/03/19
GaAs基InAs/GaSb超晶格红外光电探测器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-10-21, 公开日期: 4010
发明人:  周志强;  郝瑞亭;  汤 宝;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(550Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1650/257  |  提交时间：2010/03/19
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(621Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1459/190  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(752Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1469/150  |  提交时间：2009/06/11
一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-03-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  郝瑞亭;  周志强;  任正伟;  徐应强;  牛智川
Adobe PDF(753Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1414/168  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  孙彦;  彭红玲;  任正伟;  贺振宏
Adobe PDF(386Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1031/340  |  提交时间：2010/11/23