中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
透明导电氧化物CuMO2的第一性原理研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:  方志杰
Adobe PDF(1108Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：969/14  |  提交时间：2009/04/13
无权访问的条目 期刊论文
作者:  朱东海;  王占国;  梁基本;  徐波;  朱战萍;  张隽;  龚谦;  金才政;  丛立方;  胡雄伟;  韩勤;  方祖捷;  刘斌;  屠玉珍
Adobe PDF(155Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：993/288  |  提交时间：2010/11/23
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
Adobe PDF(431Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：616/0  |  提交时间：2016/09/28
氮化铟沟道层氮化镓基高电子迁移率晶体管结构 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-28
发明人:  王晓亮;  李巍;  李百泉;  肖红领;  殷海波;  冯春;  姜丽娟;  邱爱芹;  王翠梅;  介芳
Adobe PDF(420Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：735/3  |  提交时间：2016/09/28
一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2016-09-12
发明人:  王晓亮;  闫俊达;  李百泉;  王权;  肖红领;  冯春;  殷海波;  姜丽娟;  邱爱芹;  介芳
Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：705/1  |  提交时间：2016/09/12