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高效率边发射锑化物激光器光场调控研究 | |
陈益航 | |
学位类型 | 博士 |
2023-05-31 | |
学位授予单位 | 中国科学院大学 |
学位授予地点 | 中国科学院半导体研究所 |
学位名称 | 工学博士 |
语种 | 中文 |
文献类型 | 学位论文 |
条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/31651 |
专题 | 半导体超晶格国家重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈益航. 高效率边发射锑化物激光器光场调控研究[D]. 中国科学院半导体研究所. 中国科学院大学,2023. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
GK2023089-博士-超晶格-陈益航(7933KB) | 学位论文 | 限制开放 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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