形貌可控ZnSe纳米颗粒的无膦热注入制备方法
毕瑜; 曲胜春; 王占国
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2012-10-17
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-07-05
申请号CN201210231856.0
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25289
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
毕瑜,曲胜春,王占国. 形貌可控ZnSe纳米颗粒的无膦热注入制备方法.
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