| 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法 | |
| 聂诚磊; 杨晓红; 王秀平; 王杰; 刘少卿; 李彬; 杨怀伟; 尹伟红; 韩勤 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2012-10-17 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 学科领域 | 光电子学 |
| 申请日期 | 2012-07-09 |
| 申请号 | CN201210236350.9 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25287 |
| 专题 | 光电子研究发展中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 聂诚磊,杨晓红,王秀平,等. 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| 一种制备量子点场效应晶体管列阵的方法.p（1891KB） | 限制开放 | 使用许可 | 请求全文 | |||
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