改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
袁丽君; 于红艳; 周旭亮; 王火雷; 潘教青
专利权人中国科学院半导体研究所
公开日期2013-01-16
授权国家中国
专利类型发明
学科领域半导体材料
申请日期2012-10-25
申请号CN201210413304.1
文献类型专利
条目标识符http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25226
专题中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
袁丽君,于红艳,周旭亮,等. 改变硅波导宽度制备多波长硅基混合激光器阵列的方法.
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