| 一种高密度相变存储器的制备方法 |
| 程凯芳; 王晓峰; 王晓东; 张加勇; 马慧莉; 杨富华
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种高密度相变存储器的制备方法，包括：在衬底上淀积一层金属层；在金属层上面淀积多周期的上电极层，该多周期的上电极层的每一周期包括：一层电热绝缘材料和在其表面淀积的金属材料，每生长一层金属材料后在其表面光刻一个凹槽；在多周期的上电极层上用薄膜淀积工艺淀积电热绝缘材料层，然后将表面平坦化；采用光刻方法和干法刻蚀的工艺在电热绝缘材料层的上面制备插塞小孔，该插塞小孔的宽度大于每一层金属材料上的凹槽的宽度；在插塞小孔的孔壁上的表面淀积一层相变材料，得到管状结构；采用化学气相淀积工艺，在相变材料上再淀积一层金属材料层，该金属材料层填满插塞小孔内；最后用化学机械抛光方法，去除插塞小孔表面上多余的金属材料层和相变材料，抛光表面。 |
| 部门归属 | 半导体集成技术工程研究中心
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| 专利号 | CN201010139053.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010139053.3
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22369
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| 专题 | 半导体集成技术工程研究中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
程凯芳,王晓峰,王晓东,等. 一种高密度相变存储器的制备方法. CN201010139053.3.
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