| 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 |
| 刘石勇; 曾湘波; 彭文博; 肖海波; 姚文杰; 谢小兵; 王超 ; 王占国
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明公开了一种改进非晶硅太阳电池性能的方法，其特征在于，该方法通过改进非晶硅薄膜太阳电池i/p界面来实现，是在p层为纳米硅的条件下，在非晶硅薄膜太阳电池的i/p界面处插入纳米硅缓冲层，形成双纳米硅层结构。将双纳米硅层结构应用于电池后，开路电压与短路电流都得到了改进，电池转换效率有较大的提高。这种i/p界面处理方法没有碳掺杂，稳定性更好，简便易行，便于推广。另外采用这种方法可以不用甲烷，节省原材料的使用，降低原材料成本；同时可以免去PECVD系统的一个甲烷气路及相关设施，将极大的降低设备成本，对太阳能电池的生产和推广使用具有重要意义。 |
| 部门归属 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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| 专利号 | CN201010117751.3
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN201010117751.3
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| 专利代理人 | 周国城
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22221
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| 专题 | 中科院半导体材料科学重点实验室
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
刘石勇,曾湘波,彭文博,等. 一种改进非晶硅太阳电池性能的方法. CN201010117751.3.
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