| 采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管 |
| 李林森; 关敏; 曹国华; 曾一平; 李晋闽
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| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所
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| 公开日期 | 2011-08-31
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 一种采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管，包括：一透明阳极；一有机空穴注入层，该有机空穴注入层沉积在所述透明阳极上，该有机空穴注入层的面积小于透明阳极的面积；一有机空穴传输层，该有机空穴传输层沉积在所述有机空穴注入层上；一有机发光层，该有机发光层沉积在所述有机空穴传输层上；一有机电子传输层，该有机电子传输层沉积在所述有机发光层上；一阴极，该阴极沉积在所述有机电子传输层上，该阴极的面积小于有机电子传输层的面积。 |
| 部门归属 | 中科院半导体照明研发中心
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| 专利号 | CN200910077680.6
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | CN200910077680.6
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| 专利代理人 | 汤保平
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/22171
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| 专题 | 中科院半导体照明研发中心
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
李林森,关敏,曹国华,等. 采用金属氧化物掺杂作为空穴注入结构的有机发光二极管. CN200910077680.6.
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